超薄栅MOS器件退化过程中的缺陷势垒

摘要：

　　用统计实验研究了从SILC到SBD、HBD几个典型的退化阶段中缺陷的势垒高度和缺陷电流的变化。从SILC到SBD、HBD都是由同一种缺陷引起的缺陷带导电所致，它们的缺陷势垒高度和缺陷电流的差别仅仅是击穿通道中的缺陷密度不同。随着缺陷密度增大，缺陷的势垒高度逐渐下降。

关键词： 金属-氧化物-半导体场效应管 超薄栅器件 退化效应 缺陷势垒

作者: 许铭真 贾高升 谭长华

作者单位: 北京大学微电子研究院,北京 100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 257-259

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）