线性兼容CMOS工艺中耗尽型NJFET的设计与优化

摘要：

　　介绍了一种实用的线性兼容CMOS工艺中耗尽型NJFET的设计与优化，流片验证得到NJFET的夹断电压为-1.35V，击穿电压为15.5V，通过优化NJFET的结构，可以实现NJFET的耐压达到34V.使用该NJFET及其线性兼容CMOS工艺，成功研制了一款低压差线性稳压器(LDO)，基准源静态电流小于1.5μA.该工艺还可广泛应用于高压A/D和D/A转换器的研制.

关键词： 集成电路 线性兼容 CMOS工艺 低压差线性稳压器 工艺优化

作者: 唐昭焕 王斌 王起 刘勇 任芳 谭开洲 羊庆玲

作者单位: 模拟集成电路重点实验室,重庆 400060 中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆 400060 甘肃省天水生产力促进中心,甘肃天水 741000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 264-267

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）