应变Si NMODFET中δ掺杂层的优化

摘要：

　　利用二维器件模拟器MEDICI，模拟分析了6掺杂层的杂质分布与应变Si NMODFET电学特性的关系。结果表明，在掺杂剂量一定的情况下，对于均匀分布，漏电流随δ掺杂层厚度的减小而增大，亚阈特性基本保持不变；对于高斯分布，δ掺杂层峰值浓度越大，器件的亚阈特性越差，饱和漏电流越大；在δ掺杂层的掺杂剂量和厚度一定的情况下，均匀分布要好于高斯分布。

关键词： 场效应晶体管 应变硅 δ掺杂层 电学特性 均匀分布

作者: 舒斌 张鹤鸣 宣荣喜 胡辉勇 宋建军 王斌 周春宇 朱峰

作者单位: 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 268-270

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）