基于SOI工艺的低压MOSFET器件ESD特性研究

摘要：

　　基于自主开发的SOI高低压兼容工艺，研究了低压NMOS和PMOS器件的ESD特性，分析了器件发生击穿和骤回的物理机制。结合理论分析和流片后的TLP测试结果，发现NMOS和PMOS器件的ESD特性有很大的差别，尤其是PMOS器件没有骤回。最后讨论了改变器件的沟道长度对其ESD特性的影响。

关键词： 场效应集成电路 金属-氧化物-半导体场效应管 绝缘层上硅 静电放电 沟道长度

作者: 韩山明 蒋苓利 喻钊 樊航 张波

作者单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 278-281

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）