背栅偏置对部分耗尽SOI器件记忆效应的影响

摘要：

　　由于部分耗尽(PD)SOIMOS器件的浮体效应，在PDSOIMOSFET输出特性曲线中明显表现出记忆效应。在器件I-V特性曲线测试中，正向扫描与反向扫描的差值定义为ID-hygteresis·ID-hysteresis成功表征了背栅偏置对PD SOI MOSFET记忆效应的影响.研究结果显示，对于0.13μm的PD SOI MOSFET，器件的记忆效应对背栅偏置敏感，但是ID-hygteresis随背栅偏置并不单调变化。基于背界面与Shockley-Reed-Hall(SRH)复合理论，揭示了PDSOI MOSFET记忆效应受背栅偏置影响的规律。

关键词： 金属-氧化物-半导体场效应管 记忆效应 绝缘层上硅 背栅偏置

作者: 罗杰馨 陈静 伍青青 柴展 余涛 王曦

作者单位: 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 中科院北京研究生院,北京 100049 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050 苏州大学物理系,江苏苏州 215006 苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室,江苏苏州 2150006

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 282-285

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）