深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究

摘要：

　　对深亚微米的窄沟PMOSFET进行了负偏压温度不稳定性(NBTI)的试验研究。结果表明，NBT应力最终导致了跨导降低、输出特性曲线下降、关态泄漏电流和阈值电压增加。然而，在应力施加的过程中，一些参数发生了恢复。经过分析，认为正电性的界面态主导了参数的变化，也正是界面态的复合造成了参数的恢复。

关键词： 金属氧化物半导体场效应管 深亚微米 负偏压温度不稳定性效应 阈值电压 参数优化

作者: 崔江维 余学峰 任迪远 卢健

作者单位: 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,鲁木齐 830011 中国科学院研究生院,北京 100049 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,鲁木齐 830011

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 301-304

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）