隧道穿透场效应晶体管研究初探
采用器件数值模拟工具对PIN、PNPN以及HMG等几种新型隧道穿透场效应晶体管(TFET)器件进行了研究。结果表明优化的TFET器件具有较好的亚阈区特性和较高的Ion/Ioff之比,有望在低功耗应用中成为纳米级MOSFET强有力的竞争者之一。
隧道穿透场效应晶体管 数值模拟 亚阈区特性 结构优化
许军 崔宁 梁仁荣
清华大学微电子学研究所,北京 100084
国内会议
三亚
中文
316-319
2011-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)