SiGe异质结双极晶体管的基区优化

摘要：

　　对应用于高频微波功率放大器的SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区进行了优化，发现器件对基区Ge组分以及掺杂浓度十分敏感。采用重掺杂基区，适当提高Ge组分并形成合适的浓度分布，可以有效改进SiGe的直流特性，同时增加器件的特征频率，使得SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域具有更重要的应用前景。

关键词： 硅锗异质结晶体管 基区优化 掺杂浓度 特征频率

作者: 刘冬华 石晶 钱文生 胡君 段文婷

作者单位: 上海华虹NEC电子有限公司,上海 201206

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 320-323

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）