基于双栅PMOSFET模型的硼穿通分析方法

摘要：

　　为了在减小P型多晶硅栅电极中硼穿通的影响，需要明确多晶硅栅电极中硼穿通与栅氧化层厚度之间的关系。提出了双栅PMOSFET模型，将P型多晶硅栅极与N型多晶硅栅极的功函数之差与阈值电压差值进行对比完成硼穿通的判定。依据这一模型优化热氧化条件，有利于改善薄栅氧化层PMOSFET中的硼穿通。

关键词： 金属氧化物半导体场效应管 多晶硅栅极 硼穿通效应 阈值电压

作者: 石晶 罗啸，钱文生 刘冬华 胡君 段文婷 韩峰 董金珠 李娟娟

作者单位: 上海华虹NEC电子有限公司,上海 201206

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 324-327

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）