双端口SRAM单粒子效应检测

摘要：

　　研制了双端口SRAM单粒子效应检测系统，并对IDT公司生产的3种双端口SRAM(IDT7024L35GB、IDT7025L35GB、IDT7006L20FB)进行了单粒子效应评估试验，得到了器件的抗辐射数据，为卫星型号选用和加固设计提供了依据。

关键词： 航天器 静态随机存储器 单粒子效应 检测系统 评估试验

作者: 罗磊 于庆奎

作者单位: 中国空间技术研究院宇航物资保障事业部,北京 100029

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 三亚

会议语种:中文

页码: 364-366

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）