SU-8扩散片光刻工艺研究
基于标准的接触式光刻工艺,利用扩散片将平行照射的紫外光散射,制备了宽度为4μm~15μm的凹槽,具有半圆弧、双圆弧以及工形等截面结构和良好的形貌。详细研究了曝光时间和凹槽宽度对凹槽截面形态的影响。给出了不同横截面图形的制备工艺参数。
光刻工艺 集成光电子器件 扩散片 SU-8光刻胶 工艺参数
李若舟 张彤 张晓阳 朱圣清 李威 杨代旭 屈蓓蓓
东南大学电子科学与工程学院,江苏 南京 210096
国内会议
合肥
中文
45-49
2011-10-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)