光刻介质的折射率对SPs干涉刻写亚波长光栅特征尺寸的影响

摘要：

　　讨论了表面等离子体干涉直写光刻中，光刻胶的折射率对所刻写的亚波长光栅周期及特征尺寸的影响，计算表明，光刻胶的折射率越高，所刻写光栅的周期越小。当使用325nm激光激发Al膜和高折射率光刻胶平面层的表面等离子体时，刻写光栅的特征尺寸可达43nm，小于λ/7。

关键词： 表面等离子体 亚波长光栅 光刻技术 光刻胶 折射率

作者: 王向贤 张斗国 陈漪恺 明海

作者单位: 中国科学技术大学光学与光学工程系,安徽 合肥 230026 巢湖学院物理与电子科学系,安徽 巢湖 238000 中国科学技术大学光学与光学工程系,安徽 合肥 230026

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国塑料光纤与聚合物光子学会议

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 147-150

在线出版日期: 2011-10-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）