忆阻器状态逻辑中与操作的高效设计与实现
作为电阻、电容、电感之外的第4种基本电路元件，忆阻器自2008年被发现以来受到学术界和产业界的广泛关注。忆阻器的阻值记忆效应和纳米工艺制造方式使其被认为可用于构建未来更大容量和密度的存储器，逐渐替代FLASH等现有存储器件。除存储功能外，HP公司在2010年《Nature))上发表的文章表明，忆阻器还可以通过以蕴含为基础的状态逻辑实现任意逻辑运算。研究了忆阻器状态逻辑的另一种操作——与操作，提出了一种更加高效的与操作实现方法，该方法不需要增加额外的忆阻器，降低了激励电压的复杂性，减小了误差，使运算更加简便高效。最后通过SPICE模拟仿真对提出的方法进行了验证。
忆阻器 阻值记忆效应 存储功能 逻辑运算 与操作
张娜 吴俊杰 黄达 刘福东 周海芳
国防科学技术大学计算机学院并行与分布处理国家重点实验室 长沙 410073 国防科学技术大学计算机学院计算机科学与技术系 长沙 410073
国内会议
济南
中文
73-78
2011-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）