忆阻器存储研究与展望

摘要：

　　随着信息呈现爆炸式增长，而CMOS的工艺尺寸逐步接近其理论极限尺寸，新型纳米级存储器件的需求日趋迫切。忆阻器被认为具有替代动态随机存储器，适应海量存储的巨大潜力。在综述忆阻器与忆阻系统概念的产生与发展的基础上，讨论忆阻器作为存储单元的特性，综述了忆阻器的阻变存储结构以及相对应的读写方法。在总结分析目前研究存在问题的基础上，探讨了今后的研究方向。

关键词： 忆阻器 存储单元 存储结构 数据读写

作者: 胡舒凯 吴俊杰 周海芳 张拥军 方旭东

作者单位: 国防科学技术大学计算机学院并行与分布处理国家重点实验室长沙 410073 国防科学技术大学计算机学院 长沙 410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011年第17届全国信息存储技术大会(IST 2011)

会议地点: 济南

会议语种:中文

页码: 79-84

在线出版日期: 2011-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）