强磁场下Pt电阻温度传感器的磁致电阻效应研究
以Pt电阻温度传感器(Pt-111)为研究对象,研究了其在0～16T磁场下、4.2-300K温区内的磁致电阻效应。结果表明：Pt-111在0～16T场强、4.2～77K温区内,磁效应随场强的增加和温度的降低而明显升高,77～300K温区内温度计受磁场的影响较小,其中在16T、4.2K和16T、300 K处的磁效应分别为48.2％和1.07％；在4.2-77 K温区,Pt-111由磁阻引起的测量误差随场强的升高和温度的降低而明显升高,在16T、4.2K处和16T、77 K处的温度测量误差分别为18.3 K和1.69 K。Pt-111不推荐应用在77 K以下的磁场环境。
温度传感器 铂电阻 磁致电阻效应 低温环境
孟秋敏 欧阳峥嵘 石磊 李洪强
中国科学院强磁场科学中心,合肥 230031
国内会议
第十届全国低温工程大会暨中国航天低温专业信息网2011年度学术交流会
兰州
中文
37-39
2011-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）