玻璃盖片二次电子发射对高压太阳阵功率损耗的影响研究

摘要：

　　高压太阳阵与LEO等离子体相互作用可以造成电池阵的电流泄漏，引起太阳电池阵的功率损耗。本文在分析高压太阳电池电流泄漏物理机理的基础上，通过建立高压太阳阵与等离子体相互作用的简单模型，利用PIC(panicIe-in-cell)方法编制二维模拟程序，研究了太阳电池表面玻璃盖片二次电子发射与功率损耗的关系，得到的不同二次电子发射特性下损耗功率和与工作电压的特性曲线。

关键词： 二次电子发射 高压太阳阵 功率损耗 PIC方法 特性曲线

作者: 汤道坦 柳青 秦晓刚 陈益峰 杨生胜 郑阔海

作者单位: 兰州空间技术物理研究所,真空低温技术与物理重点实验室,甘肃,兰州,730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届空间材料及其应用技术学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 164-167

在线出版日期: 2011-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）