覆盖SU-8波导层的Love波器件温度特性研究

摘要：

　　本文采用实验的方法，选用结合ST-90°X石英基片与SU-8波导层的Love波器件结构，研究SU-8厚度对器件温度稳定性的影响，从而获得趋于零的温度系数的器件结构参数，即优化后的Love波器件温度系数tcf仅为-4.4ppm,远小于ST-90°X石英/SiO2结构的Love波结构的温度系数(32ppm)，从而明显改善了Love波器件的温度稳定性。

关键词： SU-8波导层 Love波器件 传感器 温度系数

作者: 侯娇丽 王文 刘明华 何世堂

作者单位: 中国科学院声学研究所,北京,100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国声学学会第九届青年学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 173-174

在线出版日期: 2011-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）