SiO2基片表面硅烷偶联剂A-151吸附形貌的AFM分析
利用原子力显微镜(AFM)，对乙烯基三乙氧基硅烷(A-151)在恒定20℃温度下气相吸附于SiO2基片表面形成的吸附膜的形貌及生长行为进行了研究，同时研究了气相吸附实验参数对A-15l吸附膜形貌的影响。实验结果表明，A-151气相吸附于Si02基片表面得到的吸附膜的粗糙度随着其浓度的增加而增大。对吸附A-151后SiO2基片的对水接触角的测量结果表明，SiO2基片由亲水转变为疏水。将吸附有A-151膜的SiO2基片置于超声分散器中的甲苯溶液中超声洗涤后与未经过超声分散的A-151吸附膜对比分析，结果表明A-151在SiO2表面的气相吸附过程中存在物理吸附和化学吸附两种吸附方式。
硅烷偶联剂 气相吸附 表面形貌 接触角 原子力显微镜
吴芸 蔡楚江
北京航空航天大学粉体技术研究开发北京市重点实验室，北京，100191
国内会议
昆明
中文
268-274
2011-11-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）