V2O5纳米线/氧化石墨烯复合材料的制备及其电容性能研究
本文通过氧化石墨烯（GO）与V2O5进行原位复合，制备了具有三维纳米线网络/ 二维片层结构的 V2O5/GO 纳米复合材料，由此改善了GO与V2O5纳米线之间的相互分散性，使得复合材料中GO与V2O5在电化学充放电过程中显示出协同效应，V2O5/GO复合材料具有优异的电荷存储/ 转换容量，比电容最高可达310F/g，分别是纯GO、V2O5电极材料的2倍、5倍。随着GO含量的增加，V2O5/GO 复合电极材料的比电容下降，当GO的含量为21wt%时，V2O5/GO复合电极材料具有最高的比电容。此外，三嵌段共聚物P123在形成V2O5纳米线形态中具有决定性的作用，在相同V2O5含量的复合材料中，纳米线V2O5具有比以无规则形态存在的V2O5更高的储电容量。
氧化石墨烯 V2O5纳米线 复合材料 电容性能
梁业如 杨海涛 欧阳毅 吴丁财 符若文
聚合物复合材料及功能材料教育部重点实验室，中山大学化学与化学工程学院，广州 510275 新型聚合物材料设计合成与应用广东省高校重点实验室，中山大学化学与化学工程学院，广州 510275
国内会议
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326-330
2011-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）