动态晶格应变对锰氧化物薄膜体系磁/电输运性质的影响

摘要：

　　本文探讨了0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3(PMN-PT)单晶衬底上锰氧化物外延薄膜中动态和静态晶格应变对薄膜磁性和输运特性的影响。经实验表明，通过衬底上外加电场可实现薄膜中应变的动态调节，该应变变化可以大幅改变TMI/Tcoo附近的磁电阻行为。外电场诱导的晶格应变和极化效应同时影响输运性质：极化效应主要影响金属绝缘体转变温度TMI以下区域，而晶格应变则在TMI附近占主导地位。

关键词： 晶格应变 锰氧化物薄膜 薄膜磁性 磁电运输

作者: 王晶 胡凤霞 陈岭 赵莹莹 孙继荣 沈保根

作者单位: 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室，北京 100190

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十四届全国磁学和磁性材料学术会议暨第二届全国磁热效应材料和磁制冷技术学术研讨会

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 54

在线出版日期: 2011-11-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）