AlN/GaN耦合双量子阱子带波函数及红外波段子带跃迁

摘要：

　　通过求解薛定谔方程，得到5nm AlN/2．6nm GaN/1 nm AlN/2．6nm GaN/5nm AlN耦合双量子阱的电子子带能级和本征能级对应的本征波函数。发现由于极化效应的存在，使得耦合双量子阱中简并子带能级发生约0．3eV的分裂，本征波函数在两个量子阱中非对称分布，子带跃迁波长范围约为1～20gm。并指出可以通过改变量子阱的宽度或者用AlGaN取代AlN来做势垒，来调整极化场的大小，进而调节能级分裂的程度，这对于获得三能级和四能级系统，进而对多色红外探测器件的研制有重要的指导意义。

关键词： 氮化旅 氮化镓 耦合双量子阱 子带波函数 红外波段 子带跃迁 子带能级分裂

作者: 唐晋宇 康伟 项若飞 张进 陈长清 叶朝辉

作者单位: 华中科技大学光电子科学与工程学院,湖北 武汉 430074 武汉光电国家实验室,湖北 武汉 430074 武汉光电国家实验室,湖北 武汉 430074 武汉物理与数学研究所,湖北 武汉 430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国红外加热暨红外医学发展研讨会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 207-212

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）