氮化铝单晶材料制备技术研究

摘要：

　　通过对氮化铝晶体及其制备方法高温物理气相法的简要介绍，总结了制备过程中的难点，并概述了在基本掌握了氮化铝晶体生长习性和工艺条件的基础上取得的研究进展。

关键词： 半导体材料 氮化铝晶体 制备技术 高温物理气相法

作者: 郑瑞生 武红磊

作者单位: 深圳大学光电工程学院,深圳市,518060

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体物理学术会议

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 54

在线出版日期: 2011-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）