一种SOICOMS器件GaN-DSOI新结构

摘要：

　　为利用SOI技术的优点，尝试用热导率更高的材料代替SiO2做为绝缘埋层，并在此基础上探索新型SOI器件结构，正是基于这种思想提出了相应的埋层新结构。为降低成本开发了基于硅基衬底上的GaN技术，说明GaN作SOI埋层填充物，在与硅和二氧化硅的兼容性上技术障碍得到了克服，用其作为SOICMOS器件的埋层新结构技术是可行的。

关键词： 半导体材料 SOI器件 埋层结构 性能分析

作者: 张新

作者单位: 华东光电集成器件研究所,安徽蚌埠,233042

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体物理学术会议

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 75

在线出版日期: 2011-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）