窄禁带半导体超晶格的红外调制光谱初步研究

摘要：

　　发展了基于步进扫描傅里叶变换红外光谱仪的红外调制PL和PR技术闭，使得系统分析中、远红外波段窄禁带碲镉汞(HgCdTe)半导体PL和PR光谱特性成为可能。窄禁带半导体超晶格被认为是在长波红外波段有望替代HgCdTe的新型红外探测材料，对其进行了系统概述。

关键词： 半导体材料 窄禁带碲镉汞 超晶格 物理性能 红外调制技术

作者: 邵军

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体物理学术会议

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 79-80

在线出版日期: 2011-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）