n型GaN中高场电子漂移速度的尺寸效应

摘要：

　　GaN基半导体材料的高场输运性质凭借其在高功率、高频率电子器件工作过程中的重要性，受到了广泛的关注。负微分电阻效应是一种重要的高场效应，它决定了高电场下工作的器件性能，电子速度过冲更增强了器件的高速工作。因此，研究高场下GaN基材料中的负微分电阻效应具有重要意义。本文研究了不同沟道尺寸的n型GaN外延层的高场电流--电压(I-V)特性，发现了高电场下电子的漂移速度的尺寸效应并分析了导致这种效应的原因。

关键词： 半导体材料 氮化镓基 物理性能 负微分电阻效应 电子漂移

作者: 马楠 沈波 许福军 卢励吾 林芳 冯志红 敦少博 刘波

作者单位: 北京大学物理学院,宽禁带半导体研究中心 河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体物理学术会议

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 132

在线出版日期: 2011-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）