钛掺杂氮化铝基稀磁半导体薄膜的制备

摘要：

　　本文介绍了采用共溅法制备Ti掺杂AlN薄膜的方法，并通过X射线衍射(X-ray diffraction ， XRD)进行表征。

关键词： 稀磁半导体 氮化铝薄膜 钛掺杂工艺 射频磁控溅射技术

作者: 任银拴 蒋小康 简基康 李锦 孙言飞 吴荣

作者单位: 新疆大学物理科学与技术学院,材料物理研究中心,乌鲁木齐,830046

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体物理学术会议

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 135

在线出版日期: 2011-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）