全组分InGaN薄膜的MBE生长及其物性研究

摘要：

　　本文利用分子束外延(MBE)设备，采用调节生长温度控制In组分的方法，获得了高质量的全组分InxGa1-xN合金薄膜，并对其b因子进行了深入研究。

关键词： 半导体材料 铟氮化稼薄膜 分子束外延生长 物理性能

作者: 刘世韬 王新强 陈广 冯丽 马定宇 沈波

作者单位: 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体物理学术会议

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 143

在线出版日期: 2011-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）