GaN基垂直结构LED载流子局域效应对光强平面分布的影响

摘要：

　　综述了GaN基垂直结构LED载流子局域效应对光强平面分布的影响，本文中VSLED采用Au-Au键合技术将LED外延片和Si片进行键合，之后用MALLO-5000微区激光剥离机剥离蓝宝石得到。调整不同键合和激光剥离条件，从而得到芯片外延层中不同的应力分布，进而影响到VSLED芯片发光强度，波长在表面的不同分布。

关键词： 铟氮化稼 垂直结构 LED载流子 键合技术 光强平面分布

作者: 俞锋 张国义 陈志忠 王溯源 邓俊静 姜爽 李俊泽 于彤军 康香宁 秦志新

作者单位: 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体物理学术会议

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 149-150

在线出版日期: 2011-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）