cBN电光张量的测量

摘要：

　　用cBN晶体进行电光调制能够实现短波长和高光强调制，所以有必要对cBN晶体的电光张量进行测量。把cBN晶体加工成长方体进行电光张量的测量比较方便而又准确，而cBN晶体的硬度仅次于金刚石，目前人工合成的cBN晶体的尺寸普遍很小，把cBN晶体加工成长方体进行电光张量的测量有相当大的难度，对测量技术进行了概述。

关键词： 半导体材料 立方氮化硼 电光张量 调制系统

作者: 王爽 周平伟 迟世鹏 朱景程 贾刚 陈占国

作者单位: 集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电子科学与工程学院,长春,130012

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体物理学术会议

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 152

在线出版日期: 2011-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）