n-InN/p-GaN发光二极管的电致发光

摘要：

　　由于InN的发光波长可以延伸到长波长通讯波段，使得InN材料在光纤通讯系统中使用的激光器和光二极管上具有潜在的应用价值，有可能为光通信器件的发展带来新的突破。在MOCVD制备的p型GaN衬底上，采用RF-MBE方法生长了未掺杂的InN单晶薄膜。并对其物理性能进行了研究。

关键词： 氮化铟材料 分子束外延技术 电致发光 物理性能

作者: 吴国光 沈春生 郭忠杰 高福斌 宋力君 张硕 李万程

作者单位: 集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春,130012 大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连,116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体物理学术会议

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 153

在线出版日期: 2011-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）