In插入层对InN薄膜MBE外延质量的影响

摘要：

　　采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术制备InN薄膜。为了缓解晶格失配所带来的应力及非故意生成的多晶层影响，在衬底和低温InN缓冲层之间加入一层不同厚度的金属In插入层，并研究其带来的影响。

关键词： 半导体材料 氮化铟薄膜 等离子体辅助分子束外延技术 技术改造

作者: 沈春生 吴国光 郭忠杰 李万程 宋力君 张硕 高福斌

作者单位: 集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春,130012 大连理工大学物理与光电工程学院,辽宁大连,116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体物理学术会议

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 154

在线出版日期: 2011-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）