AIGaN:In插入层对多量子阱的影响

摘要：

　　在本文中，主要探讨在结构材料中引入AlGaN：In插入层对多量子阱发光的影响。采用适当厚度的AlGaN： In插入层可提升表面与界面的平整度，提高其上外延层的晶体质量、组分均一性以及多量子阱的发光效率；若插入层过厚，将导致外延晶体质量下降，严重影响多量子阱层的发光。

关键词： 紫外发光器件 镓铝氮基 铟插入层 晶体质量 多量子阱 发光效率

作者: 李孔翌 杨伟煌 李金钗 李书平 蔡端俊 陈航洋 刘达艺 康俊勇

作者单位: 厦门大学物理与机电工程学院物理系,厦门,361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体物理学术会议

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 168-169

在线出版日期: 2011-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）