GaSb/GaAs二型自组装量子点材料生长及光学性质

摘要：

　　零维结构的量子点,能够在三个生长方向限制电子或空穴,具有独特的光学和电学性质,因此被广泛应用于激光器、探测器以及存储器的研究中。相对于研究较为成熟的一型异质结构(type-Ⅰ)InAs/GaAs量子点体系,GaSb/GaAs量子点体系具有二型异质结构(type-Ⅱ),电子和空穴在不同空间非直接跃迁辐射复合，概述了其电学性质及光学性质。

关键词： 量子点材料 异质结构 零维结构 光电性质

作者: 崔凯 马文全 卫炀 黄建亮 张艳华 曹玉莲 郭晓璐

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体物理学术会议

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 173

在线出版日期: 2011-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）