SiC晶体结晶缺陷分布演化研究

摘要：

　　本文采用高分辨X射线衍射仪(HR-XRD)、显微聚焦拉曼光谱仪、偏光显微镜等对SiC晶片以及整个晶锭中结晶缺陷的分布进行了表征，重点研究了SiC的结晶缺陷和多晶型分布、形成及演化的规律以及与生长条件的关系，为优化SiC晶体生长条件、提高晶体结晶质量提供了有益参考。

关键词： 半导体材料 碳化硅晶体 缺陷分析 质量控制

作者: 郭啸 刘学超 忻隽 杨建华 施尔畏

作者单位: 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十八届全国半导体物理学术会议

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 207

在线出版日期: 2011-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）