MOCVD生长AlGaInP/GaInP多量子阱结构材料

摘要：

采用ALX-2400型MOCVD设备，进行生长用于黄光AlGaInP/GaInPLED的MQW材料基础研究，获得了教好的晶体学特性和光学特性。

关键词： 多量子阱材料 外延生长 禁带宽度 衬底品格

作者: 关兴国 严振斌 刘惠生 路红喜 李志强 李艾功

作者单位: 河北汇能电力电子公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 38～39

在线出版日期: 2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）