Si<,0.7>Ge<,0.3>Si多量了阱PIN光电探测器

摘要：

该文报道了Ｓｉ〈，０．７〉Ｇｅ〈，０．３〉／Ｓｉ多量子阱ＰＩＮ光电探测器的研制结果，反向偏压为４Ｖ时的暗电流密度为５０ｐＡ／μｍ〈’２〉，量子效率在峰值０．９５μｍ处为２０℅，响应波长扩展到１．３μｍ以上，在１．３μｍ处量了效率为０．１℅。

关键词： 多量子阱PIN光电探测器 响应波长 量子效率 暗电流密度

作者: 杨沁清 李成 王红杰

作者单位: 光电子国家联合重点实验室中科院半导体所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 584～585

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）