基于MEDICI的深亚微米NMOSFET热载流子效应研究

摘要：

　　基于MEDICI模拟软件，研究不同栅氧化层厚度和有效沟道长度对深亚微米NMOS器件的热载流子效应的影响。结果表明了，器件的热载流子效应随着栅氧厚度和沟道长度的缩小而变得越来越严重。此外，证实了在Ibonx热载流子应力下界面态的产生是导致器件性能退化的主导因素。指出了电子迁移率减少和阈值电压增大是导致深亚微米NMOSFETs电学特性退化的根本原因。

关键词： 深亚微米NMOSFET器件 热载离子效应 模拟软件 工艺参数

作者: 胡伟佳 孔学东 章晓文

作者单位: 广东工业大学 材料与能源学院 广州 510006 工业和信息化部电子第五研究所 广州 510610 工业和信息化部电子第五研究所 广州 510610

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011第十四届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 12-18

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）