偏压条件对flash存储器总剂量辐照效应的影响

摘要：

　　本文研究了不同偏压条件对flash存储器总剂量辐照效应的影响，结果发现随着总剂量的增加，flash存储器输出低电压VOL和电源电流ICC都会增大，且PORT端口接高电位的偏置时flash存储器的参数变化更加剧烈，其原因可能是总剂量辐照产生的漏电流使电路参数发生超差。

关键词： flash存储器 MOS器件 总剂量辐照效应 偏置条件

作者: 何玉娟 罗宏伟 恩云飞

作者单位: 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室 广州 510610

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011第十四届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 19-23

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）