硅集成稳压器的总剂量效应研究

摘要：

　　本文对集成稳压器的总剂量效应的失效模式和失效机理进行了简单分析，器件在总剂量辐照之后，基准电压下降明显导致输出稳压失效，引起集成稳压器失效的模式还有误差放大器的动态输出范围下降。分析失效机理发现，辐射引起在晶体管基射结上方隔离钝化层SiO2中产生氧化物陷阱电荷和界面态，起到复合中心作用，增强表面复合速率。导致晶体管基极电流增加，电流增益减小。

关键词： 硅集成稳压器 总剂量效应 抗辐射加固法 仿真模拟

作者: 张小玲 谢雪松 吕长志

作者单位: 北京工业大学电子信息与控制工程学院 100124

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011第十四届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 51-54

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）