IGBT器件的失效机理及可靠性研究

摘要：

　　介绍了IGBT器件的特性，对其应用领域进行了详细描述。参照IEC60747-9绝缘栅双极晶体管等标准，给出了IGBT器件环境试验的技术方案，间隙工作寿命试验主要是考核芯片的电连接特性，高温反偏试验主要是在最大结温下验证PN结反向击穿特性。高温栅偏试验主要是在最大结温下加速验证栅氧经时击穿特性，即验证栅氧质量。详细介绍了IGBT器件的可靠性影响因素，这些因素分别是门锁效应、雪崩耐量、短路能力和温度系数。

关键词： MOS双极器件 绝缘栅双极晶体管 失效机理 封装工艺 可靠性分析

作者: 章晓文 恩云飞 肖庆中

作者单位: 工业和信息化部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室 广东 广州 510610

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011第十四届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 81-84

在线出版日期: 2011-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）