抗辐射加固的乘法器电路设计

摘要：

　　随着器件特征尺寸快速缩小，急剧下降的工作电压使得电路内部节点的关键电荷相应减小，再加上日益加剧的工艺偏差，使得软错误率不断攀升。特别是在航空航天环境下，高能粒子辐射诱发的软错误现已成为影响集成电路可靠性的首要因素。针对这一现状，本文介绍了基于双模冗余和三模冗余的两种抗辐射加固结构。以4位乘法器为载体，进行SEU注入仿真和软错误敏感度分析，具体量化了这两种结构的防护效果，使得软错误率下降达到接近100%，并和原始未加固设计在面积开销、性能开销两个方面进行了评估和对比。

关键词： 星载乘法器 抗辐射性能 加固结构 电路设计

作者: 秦晨飞 黄正峰 刘彦斌 梁华国 汪健 杨叔寅

作者单位: 合肥工业大学电子科学与应用物理学院，合肥 230009 中国兵器工业第214研究所，蚌埠 233042 合肥工业大学计算机与信息学院，合肥 230009

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二十一届全国测控、计量、仪器仪表学术会议暨2011中国仪器仪表与测控技术大会

会议地点: 保定·深圳

会议语种:中文

页码: 232-236

在线出版日期: 2011-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）