CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷介电损耗机理研究术
本文利用固相法和共沉淀法合成CaCu3Ti4O12压敏陶瓷，基于双Schottky势垒的电子输运过程。利用介电谱研究分析结果，研究其介电损耗的来源及其影响因素。研究发现，CCTO的介电响应，在低频下以跳跃电导和直流电导的响应为主，而高频下主要为深陷阱能级的松弛过程所致，特别是活化能为0.12eV的深陷阱浓度，是决定CaCu3Ti4O12陶瓷高频区介电损耗的重要因素。降低直流电导，有利于降低低频区介电损耗；而高频区介电损耗的降低，需要降低深陷阱浓度或增大晶粒尺寸。共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷，有效降低直流电导及控制深陷阱浓度，介电损耗降低明显。
钛酸铜钙 介电常数陶瓷 介电损耗 固相法 共沉淀法
王辉 李盛涛 尹桂来
西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室 西安 710049
国内会议
成都
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12-16
2011-09-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）