Cu元素欠缺对CaCu3Ti4O12陶瓷电性能的影响
本文采用固相法制备CaCuTi4O12陶瓷，研究了Cu元素欠缺导致CaCuTi4O12偏离化学计量含量对陶瓷样品电性能的影响。结果表明：随Cu含量减少，CCTO陶瓷样品的电性能发生显著变化，在化学式CaCu3-xTi4O12-x中x=0～0.1范围，随着x增大(Cu元素欠缺量增大)，样品的表观介电系数从3.9×104增大到2.5×105，在x=0.1～0.15范围，样品的表观介电系数又逐渐降低；在实验范围内(x=0～0.15)，表观压敏电压(V1mA/mm)从37.5V下降到4.8V，电压非线性系数逐渐增大，从2.3升高到5.4。实验还发现制作的CCTO瓷体表面与银电极层存在肖特基势垒。从而导致表面层电压非线性效应，这种表面层电压非线性效应在Cu元素欠缺的CCTO样品中表现更突出。
钛酸铜钙 陶瓷样品 介电性能 非线性效应
李晓明 卢振亚
华南理工大学材料学院电子材料系 广州 510640
国内会议
成都
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17-20
2011-09-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）