GaN微波器件及其在有源相控阵雷达T/R组件中的应用

摘要：

　　本文对宽禁带半导体GaN微波器件的特性作了简单介绍，通过与Si、GaAs器件相关特性的比较，GaN微波器件在截止频带、击穿场强和热稳定性等方面具有显著的特点，同时，重点分析了GaN微波器件在工作频率、工作带宽、输出功率、功率密度和总效率等方面的优越性能及其在有源相控阵雷达T/R组件中的应用；详细讨论了T/R组件对GaN微波器件的要求以及GaN微波器件对微电子组装的挑战。

关键词： 有源相控阵雷达 T/R组件 GaN微波器件 性能分析

作者: 许立讲 李孝轩 严伟

作者单位: 南京电子技术研究所,国防科技工业军用微组装研究应用中心,江苏 210039

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国混合集成电路学术会议

会议地点: 合肥

会议语种:中文

页码: 165-170

在线出版日期: 2011-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）