用于3D集成封装技术的TSV互连工艺现状与趋势
为顺应摩尔定律的增长趋势，芯片技术已来到所谓的“超越摩尔定律”的3D集成时代。电子系统进一步小型化和性能提高，越来越需要使用3D集成方案，在此需求推动下，穿透硅通孔(TSV)互连技术应运而生，成为三维集成和晶圆级封装的关键技术之一。TSV集成与传统组装方式相比较，具有独特的优势，如：减少互连长度、提高电性能并为异质集成提供了更宽的选择范围。三维集成技术可以使诸如RF器件、存储器、逻辑器件和MEMS等难以兼容的几个系列元器件都集成到一个系统里面。本文结合近两年的国外文献，总结了用于3D集成封装的TSV的互连技术和工艺，探讨了该技术的未来发展趋势。
微电子学 集成封装电路 硅通孔技术 互连工艺
赵钰 徐刚 陈海英
中国电子科技集团公司第四十三研究所,合肥 230088
国内会议
合肥
中文
277-284
2011-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）