缺陷对石墨烯电子结构的影响
基于第一性原理计算方法，通过密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA)对本征及含有缺陷的石墨烯超晶胞进行了电子结构的计算,研究了多种缺陷对石墨烯电子结构的影响。研究发现，多种缺陷均使石墨烯能带在费米能级附近出现缺陷态对应的能带，并导致其能隙有不同程度的增大，而且与之对应的态密度也随之发生相应的变化。其中，Stone-wales缺陷使石墨烯带隙由OeV增至0．637eV，单空位缺陷使带隙由0eV增至1．591eV，双空位缺陷使带隙由O ev增至1.207eV。
半导体材料 石墨烯 电子结构 缺陷分析 计算方法
苗亚宁 苗伟 郑力 李洋 贠江妮 张志勇
西北大学信息科学与技术学院,陕西西安 710127
国内会议
西安
中文
120-122,146
2011-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）