静磁场对CoSi金属间化合物生长动力学的影响

摘要：

　　采用玻璃熔融净化法在无磁场和2T静磁场下对CoSi金属间化合物进行深过冷处理，并采用高速摄影技术和红外测温技术对再辉过程进行原位观测。实验结果表明，当过冷度在75K-175K之间时。2T磁场下的枝晶生长速率明显小于无磁场下的枝晶生长速率。在此过冷度范围外，2T磁场下测得的枝晶生长速率与无磁场下的基本一致。分析认为,中等过冷度下枝晶生长速率的变化与磁场抑制熔体内部的对流有关。

关键词： 钴硅合金 静磁场 枝晶生长 自然对流 动力学模拟

作者: 杨朝 高建荣 张义坤

作者单位: 东北大学材料电磁过程研究教育部重点实验室 辽宁沈阳 110004

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届电磁冶金与强磁场材料科学学术会议

会议地点: 大连旅顺

会议语种:中文

页码: 97-100

在线出版日期: 2011-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）