芯级抗扰度测试方法的研究与比较
介绍了两种的IC(芯片)级的抗扰度测试方法：Powered-ESD和Langer-EFT。在实际应用中，某IC在系统级EFT(电快速瞬变脉冲群)测试中表现出比系统级ESD(静电放电)差的抗扰性能。在对该IC进行Langer-EFT和Powered-ESD测试，也表现出类似的抗扰性能。然后按照EMI(电磁干扰)的三要素，从三个方面对两种测试方法进行了分析比较。从干扰源方面基本上解释了实际测量中所观察到的现象，并对两种测试方法的耦合路径进行了比较，为IC的ESD、EFT保护电路设计及测量提供了参考。
芯片级 抗扰性能 测试方法 电磁兼容
杜飞 柴竹青 高攸纲
北京邮电大学电子工程学院，北京 100876
国内会议
张家界
中文
84-86
2011-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）