退火对非晶态碲镉汞薄膜稳定态光电导的影响
利用射频磁控溅射方法，在宝石衬底上制备了非晶态HgCdTe薄膜。对原生非晶态HgCdTe薄膜进行了不同退火时间和不同退火温度的热退火，在80K-300K温度范围内，分别测量了原生和退火处理后的非晶态HgCdTe薄膜样品的稳定态光电导，研究了退火时间和退火温度对非晶态HgCdTe薄膜的稳定态光电导和激活能的影响。实验结果表明，原生和退火非晶态HgCdTe薄膜的稳定态光电导具有热激活特性。随着退火时间增加或退火温度升高，非晶态HgCdTe薄膜的晶化程度提高，导致光电导增大，光电导激活能降低。利用非晶-多晶转变机制讨论了实验结果。
非晶态半导体 非晶态碲镉汞薄膜 热退火技术 稳定态光电导
余连杰 史衍丽 李雄军 杨丽丽 邓功荣 何雯瑾 莫镜辉
昆明物理研究所,云南昆明,650223
国内会议
北京
中文
96-99
2011-03-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）