InGaN量子点的MOVPE生长

摘要：

　　本文采用M0VPE技术生长了InGaN量子点并进行了评测。其中，紫外量子点利用了交替通断源的方法，而绿光量子点利用了生长中断的方法。

关键词： M0VPE技术 InGaN量子点 紫外量子点 交替通断源 绿光量子点 生长中断

作者: 赵维 汪莱 郝智彪 罗毅

作者单位: 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室/信息科学与技术国家实验室,北京 100084,中国

会议类型: 国内会议

会议名称: 2011全国光电子与量子电子学技术大会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 156-158

在线出版日期: 2011-03-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）